ご存知のとおり、通信および電子製品の急速な発展に伴い、キャリア基板としてのプリント回路基板  の設計も、より高いレベルとより高密度に向かって進んでいます。情報技術の継続的な発展に伴い、より多くの層を備えた高多層バックプレーンまたはマザーボード、より厚い基板厚さ、より小さな穴径、より高密度な配線に対する需要が増大し、必然的に PCB 関連の処理プロセスに大きな課題をもたらすことになります。 。高密度の相互接続基板には高アスペクト比のスルーホール設計が伴うため、めっきプロセスは高アスペクト比のスルーホールの処理に適合するだけでなく、優れたブラインドホールめっき効果も提供する必要があり、これが従来の直接配線の課題となっています。現在のメッキ工程。止まり穴めっきを伴う高アスペクト比のスルーホールは、2 つの相反するめっきシステムを表し、めっきプロセスの最大の困難になります。

次に、具体的な原理を表紙画像を通してご紹介します。

化学組成と機能:

CuSO4: 電気メッキに必要な Cu2+ を提供し、アノードとカソード間の銅イオンの移動を促進します

H2SO4: めっき液の導電率を高める

Cl: アノード皮膜の形成とアノードの溶解を助け、銅の析出と結晶化の改善に役立ちます

電気めっき添加剤: めっきの結晶化の微細さと深いめっきの性能を向上させます

化学反応の比較:

1. 硫酸銅めっき液中の銅イオンと硫酸および塩酸の濃度比は、スルーホールおよびブラインドホールの深めっき能力に直接影響します。

2. 銅イオンの含有量が高くなるほど、溶液の導電率は低くなり、抵抗が大きくなり、1 回のパスでの電流分布が悪くなります。したがって、高アスペクト比のスルーホールには、低銅の高酸めっき溶液システムが必要です。

3. 止まり穴の場合、穴内の溶液の循環が不十分なため、連続反応をサポートするには高濃度の銅イオンが必要です。

したがって、高アスペクト比のスルーホールとブラインドホールの両方を備えた製品では、電気めっきの方向性が逆になり、これもプロセスの難しさの原因となります。

次の記事では、高アスペクト比の HDI PCB の電気めっき研究の原理を引き続き探っていきます。